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NXP Semiconductors
PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF
Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3S4UF
PESD5V0S4UF
-
-
-
-
3.3
5.0
V
V
I R
reverse current
PESD3V3S4UF
PESD5V0S4UF
V R = 3.0 V
V R = 4.3 V
-
-
100
4
1000
100
nA
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 1 mA
C d
V CL
PESD3V3S4UF
PESD5V0S4UF
diode capacitance
PESD3V3S4UF
PESD5V0S4UF
clamping voltage
f = 1 MHz; V R = 0 V
[1][2]
5.32
6.46
-
-
5.6
6.8
110
85
5.88
7.14
300
220
V
V
pF
pF
PESD3V3S4UF
PESD5V0S4UF
I PP = 1 A
I PP = 10 A
I PP = 1 A
I PP = 10 A
-
-
-
-
-
-
-
-
8
11
8
12
V
V
V
V
r dif
differential resistance
I R = 1 mA
PESD3V3S4UF
PESD5V0S4UF
-
-
-
-
400
200
?
?
PESD3V3S4UF_PESD5V0S4UF_1
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1, 3, 4 or 6 to pin 2 or 5.
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 17 January 2008
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